NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 1.2 кВ, PIM
7 910 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 22вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | PIM |
| Рассеиваемая Мощность | 103Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| DC Ток Коллектора | 40А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.2В |
| Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...