GD100HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 155 А, 2 В, 511 Вт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
GD100HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 155 А, 2 В, 511 Вт, 1.2 кВ, Module

GD100HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 155 А, 2 В, 511 Вт, 1.2 кВ, Module

картинка GD100HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 155 А, 2 В, 511 Вт, 1.2 кВ, Module
5 080 руб.
Производитель
STARPOWER
Заказать
Полное описание

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность511Вт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
DC Ток Коллектора155А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Вес, г156.4
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...