GD150HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 230 А, 2 В, 746 Вт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
GD150HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 230 А, 2 В, 746 Вт, 1.2 кВ, Module

GD150HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 230 А, 2 В, 746 Вт, 1.2 кВ, Module

картинка GD150HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 230 А, 2 В, 746 Вт, 1.2 кВ, Module
6 340 руб.
Производитель
STARPOWER
Заказать
Полное описание

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность746Вт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
DC Ток Коллектора230А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Вес, г30
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...