GD225HFY120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 368 А, 2 В, 1.229 кВт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
GD225HFY120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 368 А, 2 В, 1.229 кВт, 1.2 кВ, Module

GD225HFY120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 368 А, 2 В, 1.229 кВт, 1.2 кВ, Module

картинка GD225HFY120C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 368 А, 2 В, 1.229 кВт, 1.2 кВ, Module
11 650 руб.
Производитель
STARPOWER
Заказать
Полное описание

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов11вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность1.229кВт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
DC Ток Коллектора368А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Вес, г411
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...