GD200HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 309 А, 2 В, 1.006 кВт, 1.2 кВ, Module
9 840 руб.
- Производитель
- STARPOWER
Полное описание
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 11вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Рассеиваемая Мощность | 1.006кВт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| DC Ток Коллектора | 309А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
| Вес, г | 30 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...