GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 1.2 кВ, Module

GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 1.2 кВ, Module

картинка GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 1.2 кВ, Module
13 720 руб.
Производитель
STARPOWER
Заказать
Полное описание

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов11вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность2.083кВт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
DC Ток Коллектора630А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Вес, г30
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...