GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 1.2 кВ, Module

GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 1.2 кВ, Module

картинка GD600HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1 кА, 2 В, 3.409 кВт, 1.2 кВ, Module
19 490 руб.
Производитель
STARPOWER
Заказать
Полное описание

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов11вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность3.409кВт
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
DC Ток Коллектора1кА
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Вес, г30
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...