SKM400GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 612 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
SKM400GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 612 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

SKM400GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 612 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

картинка SKM400GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 612 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module
29 840 руб.
Производитель
Semikron Elektronik
Заказать
Полное описание

The SKM400GB12V is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.

• Half-bridge switch
• V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
• CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
• Integrated gate resistor
• Lowest switching losses at high di/dt
• UL recognized, file number E63532

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
DC Ток Коллектора612А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.75В
Вес, г180
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...