2MBI100TA-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
2MBI100TA-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

2MBI100TA-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

картинка 2MBI100TA-060-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module
2 640 руб.
Производитель
Fuji Electric
Заказать
Полное описание

The 2MBI100TA-060-50 is a 600V IGBT Module with NPT half-bridge designed for uninterruptible power supply, AC and DC servo drive amplifier. Dual IGBT module is suitable for use in half-bridge and H-bridge configurations.

• High speed switching
• Voltage drive
• Low inductance module structure
• Screw-thread power terminals

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер600в
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность310Вт
Полярность ТранзистораN Канал
DC Ток Коллектора100А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)2.4В
Максимальная рабочая температура+150 C
Длина92мм
Transistor ConfigurationСерия
ПроизводительFuji Electric
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)600 V
Максимальный непрерывный ток коллектора100 А
Тип корпусаM232
Максимальное рассеяние мощности310 Вт
Тип монтажаМонтаж на панель
Ширина34мм
Высота30мм
Число контактов7
Размеры92 x 34 x 30мм
КонфигурацияСерия
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20V
Тип каналаN
Вес, г180
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...