2MBI100U4A-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 150 А, 2.2 В, 540 Вт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
2MBI100U4A-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 150 А, 2.2 В, 540 Вт, 1.2 кВ, Module

2MBI100U4A-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 150 А, 2.2 В, 540 Вт, 1.2 кВ, Module

картинка 2MBI100U4A-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 150 А, 2.2 В, 540 Вт, 1.2 кВ, Module
4 530 руб.
Производитель
Fuji Electric
Заказать
Полное описание

2MBI100U4A-120-50 является массивом N-канальных БТИЗ и модулем транзистора с напряжением коллектор-эмиттер 1200В и рассеиванием мощности коллектора 540Вт.

• Напряжение затвор - эмиттер ±20В
• Напряжение изоляции 2500В AC

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура125 C
Количество Выводов7вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность540Вт
Полярность ТранзистораN Канал
DC Ток Коллектора150а
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)2.2В
Максимальная рабочая температура+150 C
Длина92мм
Transistor ConfigurationСерия
ПроизводительFuji Electric
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора100 A
Тип корпусаM232
Максимальное рассеяние мощности540 W
Тип монтажаМонтаж на панель
Ширина34мм
Высота30мм
Число контактов7
Размеры92 x 34 x 30мм
КонфигурацияСерия
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20V
Тип каналаN
Вес, г180
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...