7MBR50VB-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
7MBR50VB-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

7MBR50VB-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

картинка 7MBR50VB-120-50, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module
16 120 руб.
Производитель
Fuji Electric
Заказать
Полное описание
IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов24вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность280Вт
Полярность ТранзистораN Канал
DC Ток Коллектора50А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.85В
Максимальная рабочая температура+150 C
Длина122мм
Transistor ConfigurationТрехфазный
ПроизводительFuji Electric
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора50 A
Тип корпусаM712
Максимальное рассеяние мощности280 W
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Ширина62мм
Высота17мм
Число контактов24
Размеры122 x 62 x 17мм
Конфигурация3-фазный мост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20V
Тип каналаN
Вес, г2.268
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...