A2C50S65M2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Шесть N Каналов, 50 А, 1.95 В, 208 Вт, 650 В, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
A2C50S65M2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Шесть N Каналов, 50 А, 1.95 В, 208 Вт, 650 В, Module

A2C50S65M2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Шесть N Каналов, 50 А, 1.95 В, 208 Вт, 650 В, Module

картинка A2C50S65M2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Шесть N Каналов, 50 А, 1.95 В, 208 Вт, 650 В, Module
4 050 руб.
Производитель
ST Microelectronics
Заказать
Полное описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов25вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер650В
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность208Вт
Полярность ТранзистораШесть N Каналов
DC Ток Коллектора50А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.95В
Вес, г1.45
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...