FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 1.2 кВ, Module

FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 1.2 кВ, Module

картинка FP35R12W2T4B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 54 А, 1.85 В, 215 Вт, 1.2 кВ, Module
4 990 руб.
Производитель
Infineon Technologies
Заказать
Полное описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность215Вт
Полярность ТранзистораN Канал
DC Ток Коллектора54А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.85В
Вес, г25
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...