F475R12KS4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
F475R12KS4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module

F475R12KS4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module

картинка F475R12KS4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module
11 550 руб.
Производитель
Infineon Technologies
Заказать
Полное описание
Кол-во ключей в модуле 4, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура125 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Рассеиваемая Мощность500Вт
Полярность ТранзистораN Канал
DC Ток Коллектора100А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)3.2В
Вес, г0.308
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...