FF100R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module
5 200 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Рассеиваемая Мощность | 555Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| DC Ток Коллектора | 100А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Вес, г | 0.16 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...