PD85004, РЧ полевой транзистор, 40 В, 2 А, 6 Вт, 1 ГГц, SOT-89
370 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronicsThe Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\РЧ Полевые Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Частота | 1ггц |
| Рассеиваемая Мощность | 6Вт |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-89 |
| Типичный коэффициент усиления по мощности | 17 dB |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 4.6мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальный непрерывный ток стока | 2 A |
| Тип корпуса | SOT-89 |
| Максимальное рассеяние мощности | 6 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 2.6мм |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Высота | 0.44мм |
| Максимальное напряжение сток-исток | -40 В |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 4.6 x 2.6 x 0.44мм |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 16 пФ при 13,6 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -0,5 В, +15 В |
| Вес, г | 0.052 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...