MMBF4119, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 200 мкА, 600 мкА, -6 В, SOT-23, JFET

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MMBF4119, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 200 мкА, 600 мкА, -6 В, SOT-23, JFET

MMBF4119, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 200 мкА, 600 мкА, -6 В, SOT-23, JFET

картинка MMBF4119, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -40 В, 200 мкА, 600 мкА, -6 В, SOT-23, JFET
45 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Напряжение Пробоя Vbr-40В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)200мкА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)-6В
Тип ТранзистораJFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)600мкА
Максимальная рабочая температура+150 C
Длина2.92мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Запирающий ток сток-исток Idss0.2 ? 0.6mA
ПроизводительON Semiconductor
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина1.3мм
Высота0.93мм
Максимальное напряжение сток-затвор40V
Максимальное напряжение сток-исток10 V
Число контактов3
Размеры2.92 x 1.3 x 0.93мм
КонфигурацияОдинарный
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-40 V
Вес, г0.4
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...