MMBFJ110, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 10 мА, -4 В, SuperSOT, JFET
50 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
N-channel JFET, Fairchild SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Напряжение Пробоя Vbr | -25В |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -4В |
| Тип Транзистора | JFET |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 10мА |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 85пФ |
| Запирающий ток сток-исток Idss | min. 10mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 85пФ |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 0.94мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 18 ? |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 25V |
| Максимальное напряжение сток-исток | 15 В |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.4 x 0.94мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -25 V |
| Вес, г | 0.5 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...