MMBFJ175, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В
50 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFJ175 is a P-channel JFET Switch primarily designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers. It offers interchangeable source and drain.
• 30V Drain-gate voltage
• -30V Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Напряжение Пробоя Vbr | 30В |
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | -7мА |
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | 6В |
Тип Транзистора | JFET |
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | -60мА |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 2.92mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | ON Semiconductor |
Package Type | SOT-23 |
Maximum Power Dissipation | 225 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Width | 1.3mm |
Height | 0.93mm |
Maximum Drain Source Resistance | 125 ? |
Pin Count | 3 |
Channel Type | P |
Maximum Gate Source Voltage | 30 V |
Вес, г | 0.018 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...