MMBFJ309, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА
43 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFJ309 is a N-channel RF JFET designed for VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer applications.
• Interchangeable source and drain
• 25V Drain-source voltage
• -25V Gate-source voltage
• 10mA Forward gate current
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Напряжение Пробоя Vbr | -25В |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 12мА |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -4В |
| Тип Транзистора | Радиочастотный Полевой Транзистор |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 30мА |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 5пФ |
| Запирающий ток сток-исток Idss | 12 ? 30mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 2.5пФ |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.3мм |
| Высота | 0.93мм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 10 V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.3 x 0.93мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -25 V |
| Вес, г | 0.056 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...