MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В

MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В

картинка MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
37 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The MMBFU310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.

• 25V Drain-source voltage
• 25V Gate-source voltage
• 10mA Gate current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3 Вывода
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Напряжение Пробоя Vbr25В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)24мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
Тип ТранзистораJFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)60мА
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.21.00.95
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Maximum Drain Source Voltage (V)25
Maximum Gate Source Voltage (V)25
Maximum Power Dissipation (mW)225
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
PackagingTape and Reel
AutomotiveNo
Pin Count3
Supplier PackageSOT-23
Standard Package NameSOT
MilitaryNo
MountingSurface Mount
Package Height0.94
Package Length2.9
Package Width1.3
PCB changed3
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.008
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...