MMBFU310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
37 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFU310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
• 25V Drain-source voltage
• 25V Gate-source voltage
• 10mA Gate current
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Напряжение Пробоя Vbr | 25В |
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 24мА |
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | 6В |
Тип Транзистора | JFET |
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 60мА |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.95 |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 25 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 25 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 225 |
Minimum Operating Temperature (C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | SOT-23 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.94 |
Package Length | 2.9 |
Package Width | 1.3 |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Gull-wing |
Вес, г | 0.008 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...