BF861B,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 6 мА, 15 мА

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BF861B,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 6 мА, 15 мА

BF861B,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 6 мА, 15 мА

картинка BF861B,215, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 6 мА, 15 мА
110 руб.
Производитель
NXP Semiconductor
Заказать
Полное описание

The BF861B, 215 is a N-channel symmetrical JFET housed in surface-mount plastic package. The device offers high transfer admittance and low input capacitance. It is designed for use with preamplifiers for AM tuners in car radios applications.

• Low input capacitance
• Low noise

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Напряжение Пробоя Vbr-25В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)6мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)-1.5В
Тип ТранзистораJFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)15мА
Вес, г0.045
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...