MMBF4392LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MMBF4392LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В

MMBF4392LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В

картинка MMBF4392LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 25 мА, 75 мА, -5 В
45 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The MMBF4392LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.

• 30VDC Drain-source voltage
• 30VDC Drain-gate voltage
• 30VDC Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3 Вывода
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Напряжение Пробоя Vbr30В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)25мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)-5В
Тип ТранзистораJFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)75мА
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.21.00.95
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Maximum Gate Source Voltage (V)30
Maximum Drain Gate Voltage (V)30
Maximum Power Dissipation (mW)225
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
Supplier Temperature GradeAutomotive
PackagingTape and Reel
AutomotiveNo
Pin Count3
Supplier PackageSOT-23
Standard Package NameSOT
MilitaryNo
MountingSurface Mount
Package Height0.94
Package Length2.9
Package Width1.3
PCB changed3
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.008
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...