MMBFJ108, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 80 мА, 80 мА
49 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFJ108 is a N-channel JFET s designed for digital switching applications where very low ON-resistance is mandatory.
• 25V Drain-gate voltage
• -25V Gate-source voltage
• 10mA Forward gate current
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Напряжение Пробоя Vbr | -25В |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 80мА |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -10В |
| Тип Транзистора | JFET |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 80мА |
| Вес, г | 0.03 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...