MMBFJ112, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 5 мА, -5 В
44 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFJ112 is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
• Interchangeable source and drain
• 35V Drain-gate voltage
• -35V Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Напряжение Пробоя Vbr | -35В |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 5мА |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -5В |
| Тип Транзистора | JFET |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 28пФ |
| Запирающий ток сток-исток Idss | min. 5mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 28пФ |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.3 |
| Высота | 0.93мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 50 Ом |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 35V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.3 x 0.93мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | 35 В |
| Вес, г | 0.617 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...