MMBFJ175, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MMBFJ175, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В

MMBFJ175, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В

картинка MMBFJ175, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В
50 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The MMBFJ175 is a P-channel JFET Switch primarily designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers. It offers interchangeable source and drain.

• 30V Drain-gate voltage
• -30V Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Напряжение Пробоя Vbr30В
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)-7мА
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
Тип ТранзистораJFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)-60мА
Maximum Operating Temperature+150 C
Number of Elements per Chip1
Length2.92mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandON Semiconductor
Package TypeSOT-23
Maximum Power Dissipation225 mW
Mounting TypeSurface Mount
Minimum Operating Temperature-55 C
Width1.3mm
Height0.93mm
Maximum Drain Source Resistance125 ?
Pin Count3
Channel TypeP
Maximum Gate Source Voltage30 V
Вес, г0.018
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...