MMBFJ177LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
47 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
• -25V Drain-gate voltage
• 25V Gate-source voltage
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Напряжение Пробоя Vbr | 30В |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | -1.5мА |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | 2.5В |
| Тип Транзистора | JFET |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | -20мА |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Source Gate On-Capacitance | 11pF |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 1.5 ? 20mA |
| Brand | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 1.4mm |
| Height | 1.01mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 ? |
| Maximum Drain Gate Voltage | 25V dc |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| Configuration | Single |
| Channel Type | P |
| Вес, г | 0.008 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...