MMBFJ310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА
47 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFJ310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
• 25VDC Drain-source voltage
• 25VDC Gate-source voltage
• 10mA Gate current
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Напряжение Пробоя Vbr | -25В |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 24мА |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -6.5В |
| Тип Транзистора | JFET |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 60мА |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Длина | 2.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Запирающий ток сток-исток Idss | 24 ? 60mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.3 |
| Высота | 0.94мм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 25 В |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.94мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | +25 В |
| Вес, г | 0.008 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...