MMBFJ309LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 12 мА, 30 мА
47 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
• 25VDC Drain-source voltage
• 25VDC Gate-source voltage
• 10mA Gate current
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Напряжение Пробоя Vbr | -25В |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 12мА |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -4В |
| Тип Транзистора | JFET |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 30мА |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Source Gate On-Capacitance | 5pF |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 12 ? 30mA |
| Brand | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 1.4mm |
| Height | 1.01mm |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
| Configuration | Single |
| Channel Type | N |
| Вес, г | 1.058 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...