MMBT2222ALT3G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 225 мВт, 600 мА, 40 hFE
14 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 600мА |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Линейка Продукции | MMBTxxxx Series |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 V |
| Длина | 3.04мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 75 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 V |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 600 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.01мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 V |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.01мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40мм |
| Вес, г | 0.05 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...