MMBT2222ALT3G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 225 мВт, 600 мА, 40 hFE
14 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40В |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 600мА |
DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Линейка Продукции | MMBTxxxx Series |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 V |
Длина | 3.04мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 75 V |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 V |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 1.4мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 600 mA |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.01мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 V |
Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.01мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40мм |
Вес, г | 0.05 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...