RGTH80TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 31 А, 1.6 В, 66 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
590 руб.
- Производитель
- Rohm
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Рассеиваемая Мощность | 66Вт |
DC Ток Коллектора | 31А |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.6В |
Максимальная рабочая температура | +175 C |
Длина | 16мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | ROHM |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 31 A |
Тип корпуса | TO-3PFM |
Максимальное рассеяние мощности | 66 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -40 C |
Ширина | 5мм |
Number of Transistors | 1 |
Высота | 21мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 16 x 5 x 21мм |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30V |
Тип канала | N |
Емкость затвора | 85пФ |
Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...