RGTH50TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 26 А, 1.6 В, 59 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
530 руб.
- Производитель
- Rohm
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
| Рассеиваемая Мощность | 59Вт |
| DC Ток Коллектора | 26А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.6В |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Длина | 16мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ROHM |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 26 А |
| Тип корпуса | TO-3PFM |
| Максимальное рассеяние мощности | 59 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 C |
| Ширина | 5мм |
| Number of Transistors | 1 |
| Высота | 21мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16 x 5 x 21мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30V |
| Тип канала | N |
| Емкость затвора | 57пФ |
| Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...