RGTH60TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 28 А, 1.6 В, 61 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
RGTH60TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 28 А, 1.6 В, 61 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

RGTH60TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 28 А, 1.6 В, 61 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

картинка RGTH60TK65DGC11, БТИЗ транзистор, 28 А, 1.6 В, 61 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
550 руб.
Производитель
Rohm
Заказать
Полное описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-3PFM
Рассеиваемая Мощность61Вт
DC Ток Коллектора28А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.6В
Максимальная рабочая температура+175 C
Длина16мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительROHM
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора28 А
Тип корпусаTO-3PFM
Максимальное рассеяние мощности61 W
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-40 C
Ширина5мм
Number of Transistors1
Высота21мм
Число контактов3
Размеры16 x 5 x 21мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер30V
Тип каналаN
Емкость затвора66пФ
Вес, г2
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...