NGB8207BNT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.5 В, 165 Вт, 365 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
NGB8207BNT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.5 В, 165 Вт, 365 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

NGB8207BNT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.5 В, 165 Вт, 365 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

картинка NGB8207BNT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.5 В, 165 Вт, 365 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
170 руб.
Производитель
Littelfuse
Заказать
Полное описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер365В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263
Рассеиваемая Мощность165Вт
DC Ток Коллектора20А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.5В
Максимальная рабочая температура+175 C
Длина10.29мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительLittelfuse
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)365 В
Максимальный непрерывный ток коллектора20 А
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности165 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина9.65мм
Высота4.83мм
Число контактов3
Размеры10.29 x 9.65 x 4.83мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер15V
Тип каналаN
Вес, г0.33
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...