NGD8205ANT4G, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.3 В, 125 Вт, 350 В, TO-252, 3 вывод(-ов)
200 руб.
- Производитель
- Littelfuse
Полное описание
The NGD8205ANT4G is a 300V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for use in ignition, direct fuel injection or wherever high voltage and high current switching is required. The logic level IGBT features monolithic circuitry integrating ESD and overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.
• Ideal for coil on plug and driver on coil applications
• Gate-emitter ESD protection
• Temperature compensated gate-collector voltage clamp limits stress applied to load
• Integrated ESD diode protection
• Low threshold voltage interfaces power loads to logic or microprocessor devices
• Low saturation voltage
• High pulsed current capability
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 350В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| DC Ток Коллектора | 20А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.3В |
| Вес, г | 0.907 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...