HGTP7N60A4, БТИЗ транзистор, 34 А, 2.7 В, 125 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
190 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
• 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
• 75ns Fall time @ TJ = 125°C
• 125W Total power dissipation @ TC = 25°C
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| DC Ток Коллектора | 34А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.7В |
| Вес, г | 2.033 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...