FGAF40N60UFTU, БТИЗ транзистор, универсальный, 40 А, 6.5 В, 100 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
FGAF40N60UFTU, БТИЗ транзистор, универсальный, 40 А, 6.5 В, 100 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)

FGAF40N60UFTU, БТИЗ транзистор, универсальный, 40 А, 6.5 В, 100 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)

картинка FGAF40N60UFTU, БТИЗ транзистор, универсальный, 40 А, 6.5 В, 100 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
300 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The FGAF40N60UFTU is a PT IGBT provides low conduction and switching losses. The UF series is designed for applications such as general inverters and PFC where high speed switching is a required feature.

• High speed switching
• High input impedance
• 2.3V @ IC = 20A Low saturation voltage

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер600в
Стиль Корпуса ТранзистораTO-3PF
Рассеиваемая Мощность100Вт
DC Ток Коллектора40А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)6.5В
Maximum Operating Temperature+150 C
Length15.5mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Maximum Continuous Collector Current40 A
Package TypeTO-3PF
Maximum Power Dissipation100 W
Mounting TypeThrough Hole
Minimum Operating Temperature-55 C
Width5.5mm
Height26.5mm
Pin Count3
Dimensions15.5 x 5.5 x 26.5mm
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Channel TypeN
Вес, г6
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...