FGAF40N60UFTU, БТИЗ транзистор, универсальный, 40 А, 6.5 В, 100 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
300 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The FGAF40N60UFTU is a PT IGBT provides low conduction and switching losses. The UF series is designed for applications such as general inverters and PFC where high speed switching is a required feature.
• High speed switching
• High input impedance
• 2.3V @ IC = 20A Low saturation voltage
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PF |
Рассеиваемая Мощность | 100Вт |
DC Ток Коллектора | 40А |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 6.5В |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Length | 15.5mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | ON Semiconductor |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Package Type | TO-3PF |
Maximum Power Dissipation | 100 W |
Mounting Type | Through Hole |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Width | 5.5mm |
Height | 26.5mm |
Pin Count | 3 |
Dimensions | 15.5 x 5.5 x 26.5mm |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Channel Type | N |
Вес, г | 6 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...