FGD5T120SH, БТИЗ транзистор, FS траншейного типа, 10 А, 2.9 В, 69 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
FGD5T120SH, БТИЗ транзистор, FS траншейного типа, 10 А, 2.9 В, 69 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)

FGD5T120SH, БТИЗ транзистор, FS траншейного типа, 10 А, 2.9 В, 69 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)

картинка FGD5T120SH, БТИЗ транзистор, FS траншейного типа, 10 А, 2.9 В, 69 Вт, 1.2 кВ, TO-252, 3 вывод(-ов)
120 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252
Рассеиваемая Мощность69Вт
DC Ток Коллектора10а
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)2.9В
Вес, г0.907
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...