FGB40N60SM, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.9 В, 349 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
FGB40N60SM, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.9 В, 349 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

FGB40N60SM, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.9 В, 349 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

картинка FGB40N60SM, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.9 В, 349 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
360 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер600в
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263AB
Рассеиваемая Мощность349Вт
DC Ток Коллектора80А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.9В
Вес, г0.3
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...