Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats, they also include SiC reverse recovery diodes. Typical applications include induction heating, solar and wind inverters, DC-DC converters, 3-phase PFC, line regeneration drives, UPS & SMPS, motor drives and battery chargers.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Рассеиваемая Мощность	925Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	193А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.013Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	20В
Пороговое Напряжение Vgs	2.6В
Максимальная рабочая температура	+150 C
Максимальный непрерывный ток стока	193 A
Максимальное рассеяние мощности	925 Вт
Тип монтажа	Монтаж на панель
Ширина	61.4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость	53.8S
Высота	30мм
Размеры	106.4 x 61.4 x 30мм
Материал транзистора	SiC
Количество элементов на ИС	2
Длина	106.4мм
Transistor Configuration	Серия
Типичное время задержки включения	38 нс
Производитель	Wolfspeed
Типичное время задержки выключения	70 нс
Минимальная рабочая температура	-40 C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.8V
Максимальное сопротивление сток-исток	30 m?
Максимальное напряжение сток-исток	1200 В
Число контактов	7
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	378 нКл при 20 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	6,3 нФ при 1 кВ
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-10 В, +25 В
Прямое напряжение диода	2.4V
Вес, г	345.6