MD300HFR120B3S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом, 18 В, 5.6 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MD300HFR120B3S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом, 18 В, 5.6 В

MD300HFR120B3S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом, 18 В, 5.6 В

картинка MD300HFR120B3S, МОП-транзистор, Silicon Carbide, Двойной N Канал, 381 А, 1.2 кВ, 0.005 Ом, 18 В, 5.6 В
76 230 руб.
Производитель
STARPOWER
Заказать
Полное описание

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Полярность ТранзистораДвойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds1.2кВ
Непрерывный Ток Стока381А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.005Ом
Напряжение Измерения Rds(on)18В
Пороговое Напряжение Vgs5.6В
Вес, г5
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...