SK85MH10T, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 80 А, 100 В, 0.0075 Ом, 10 В, 3.3 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
SK85MH10T, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 80 А, 100 В, 0.0075 Ом, 10 В, 3.3 В

SK85MH10T, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 80 А, 100 В, 0.0075 Ом, 10 В, 3.3 В

картинка SK85MH10T, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 80 А, 100 В, 0.0075 Ом, 10 В, 3.3 В
5 750 руб.
Производитель
Semikron Elektronik
Заказать
Полное описание

The SK85MH10T from Semikron is an half bridge configured MOSFET Module in SEMITOP 2 case style designed through Trench gate technology. This device features compact design, heat transfer and isolation through direct copper bonding aluminium oxide ceramic, short internal connection and low inductance case. SK85MH10Tis used in switched mode power supplies and DC servo drives.

• Drain to source voltage (Vds) of 100V
• Gate to source voltage (Vgs) of ±20V
• Continuous drain current (Id) of 80A
• Operating junction temperature of -40°C to 150°C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Полярность ТранзистораN Канал
Напряжение Истока-стока Vds100В
Непрерывный Ток Стока80А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0075Ом
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Пороговое Напряжение Vgs3.3В
Вес, г20
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...