SI3590DV-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 30 В, 0.062 Ом, 4.5 В, 1.5 В
95 руб.
- Производитель
- Vishay
Полное описание
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• Low conduction losses
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Рассеиваемая Мощность | 830мВт |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.062Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Вес, г | 0.045 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...