ULN2004D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
ULN2004D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

ULN2004D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC

картинка ULN2004D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
38 руб.
Производитель
ST Microelectronics
Заказать
Полное описание

High-voltage, high-current darlington arrays each contains seven open collector darlington pairs with common emitters. Suitable for relay drivers, stepper and DC brushed motor drivers, lamp drivers, display drivers (LED and gas discharge), line drivers and logic buffers.

• Integrated suppression diode for inductive loads
• Output can be paralleled for higher current
• TTL/CMOS/PMOS/DTL compatible inputs
• Input pins are placed opposite to output pins to simplify layout

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура85 C
Количество Выводов16вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер50в
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора500мА
DC Усиление Тока hFE1000hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1,6 В
Максимальная рабочая температура+85 C
Количество элементов на ИС7
Длина10мм
Transistor ConfigurationОбщий эмиттер
ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора500 мА
Тип корпусаSOIC
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-20 C
Ширина4мм
Тип транзистораNPN
Высота1.65мм
Число контактов16
Размеры10 x 4 x 1.65мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току1000
Вес, г0.304
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...