ULQ2003D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
- Производитель
- ST Microelectronics
The ULQ2003D1013TR is a high current Bipolar Transistor Array containing seven open-collector Darlington pairs with common emitters. Each channel rated at 500mA and can withstand peak currents of 600mA. Suppression diodes are included for inductive load driving and the inputs are pinned opposite the outputs to simplify board layout. The versions interface to all common logic families. It is useful for driving a wide range of loads including solenoids, relays DC motors, LED displays filament lamps, thermal print-heads and high power buffers.
• High voltage
• Integrated suppression diodes for inductive loads
• Outputs can be paralleled for higher current
• TTL/CMOS/PMOS/DTL compatible inputs
• Inputs pinned opposite outputs to simplify layout
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 105 C |
| Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 500мА |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +105 C |
| Количество элементов на ИС | 7 |
| Длина | 10мм |
| Transistor Configuration | Общий эмиттер |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 C |
| Ширина | 4мм |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.6мм |
| Число контактов | 16 |
| Размеры | 10 x 4 x 1.6мм |
| Вес, г | 0.287 |
- Полное описание
- Комментарии