ULN2002D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC
49 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
High-voltage, high-current darlington arrays each contains seven open collector darlington pairs with common emitters. Suitable for relay drivers, stepper and DC brushed motor drivers, lamp drivers, display drivers (LED and gas discharge), line drivers and logic buffers.
• Integrated suppression diode for inductive loads
• Output can be paralleled for higher current
• TTL/CMOS/PMOS/DTL compatible inputs
• Input pins are placed opposite to output pins to simplify layout
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
DC Ток Коллектора | 500мА |
DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,6 В |
Максимальная рабочая температура | +85 C |
Количество элементов на ИС | 7 |
Длина | 10мм |
Transistor Configuration | Общий эмиттер |
Производитель | STMicroelectronics |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
Тип корпуса | SOIC |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -20 C |
Ширина | 4мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.65мм |
Число контактов | 16 |
Размеры | 10 x 4 x 1.65мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
Вес, г | 0.206 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...