HFA3096BZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 8 В, 150 мВт, 37 мА, 130 hFE, SOIC
- Производитель
- Renesas Technology
The HFA3096BZ is a NPN-PNP ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of these transistor arrays provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
• 3.5dB Noise figure (50R) at 1GHz
• <,1pA Collector to collector leakage
• Complete isolation between transistors
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 8В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Полярность Транзистора | NPN, PNP |
DC Ток Коллектора | 37мА |
DC Усиление Тока hFE | 130hFE |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
Максимальная рабочая температура | +125 C |
Максимальная рабочая частота | 5500 МГц (PNP), 8000 МГц (NPN) |
Количество элементов на ИС | 5 |
Длина | 10мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 12 В |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 8 В |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 150 мВт |
Тип монтажа | Surface Mount |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 4мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 65 мА |
Тип транзистора | NPN, PNP |
Высота | 1.5мм |
Число контактов | 16 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 5.5 V |
Размеры | 1.5 x 10 x 4мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 20 |
Вес, г | 0.34 |
- Полное описание
- Комментарии