HFA3101BZ, Массив биполярных транзисторов, NPN, 8 В, 30 мА, 70 hFE, SOIC
950 руб.
- Производитель
- Renesas Technology
Полное описание
The HFA3101BZ is a NPN Gilbert cell UHF Bipolar Transistor Array configured as a multiplier cell. It achieves very high fT (10GHz) while maintaining excellent hFE and VBE matching characteristics that have been maximized through careful attention to circuit design and layout, making this product ideal for communication circuits. It is suitable for use in mixer applications and the cell provides high gain and good cancellation of 2nd order distortion terms.
• 3.5dB Low noise figure (transistor)
• <,0.01nA Low collector leakage current
• Excellent hFE and VBE matching
• Pin to pin compatible to UPA101
• -40 to 85°C Temperature range
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 8В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 30мА |
| DC Усиление Тока hFE | 70hFE |
| Максимальная рабочая температура | +85 C |
| Максимальная рабочая частота | 10000 МГц |
| Количество элементов на ИС | 6 |
| Длина | 5мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 12 В |
| Transistor Configuration | Комплекс |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 8 В |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -40 C |
| Ширина | 4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 30 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.5мм |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5.5 V |
| Размеры | 1.5 x 5 x 4мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
| Вес, г | 0.178 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...