HFA3128BZ, Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В, 150 мВт, 37 мА, 60 hFE, SOIC
390 руб.
- Производитель
- Renesas Technology
Полное описание
The HFA3128BZ is a PNP ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The transistor exhibits a fT of 5.5GHz, low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of this transistor array provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
• 3.5dB Noise figure (50R) at 1GHz
• <,1pA Collector to collector leakage
• Complete isolation between transistors
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 12в |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Полярность Транзистора | pnp |
DC Ток Коллектора | 37мА |
DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
Вес, г | 0.331 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...