HFA3128BZ, Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В, 150 мВт, 37 мА, 60 hFE, SOIC

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
HFA3128BZ, Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В, 150 мВт, 37 мА, 60 hFE, SOIC

HFA3128BZ, Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В, 150 мВт, 37 мА, 60 hFE, SOIC

картинка HFA3128BZ, Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В, 150 мВт, 37 мА, 60 hFE, SOIC
390 руб.
Производитель
Renesas Technology
Заказать
Полное описание

The HFA3128BZ is a PNP ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The transistor exhibits a fT of 5.5GHz, low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of this transistor array provides close electrical and thermal matching of the five transistors.

• 3.5dB Noise figure (50R) at 1GHz
• <,1pA Collector to collector leakage
• Complete isolation between transistors

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура125 C
Количество Выводов16вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер12в
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Рассеиваемая Мощность150мВт
Полярность Транзистораpnp
DC Ток Коллектора37мА
DC Усиление Тока hFE60hFE
Вес, г0.331
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...